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J-GLOBAL ID：201602273534502988   整理番号：16A0930335

ルチル型TiO₂単結晶の酸素空孔分布制御による可逆的抵抗変化特性

著者 (3件)： 清水拓磨 (大阪大 大学院) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-A31-7  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 可逆変化 ,  *電気抵抗 ,  *酸化チタン ,  単結晶 ,  空格子点 ,  ドーピング ,  酸素 ,  空間分布 ,  制御 ,  *ルチル型結晶 ,  回路部品 ,  インダクタ ,  コンデンサ ,  抵抗器
準シソーラス用語： メモリスタ ,  *二酸化チタン ,  酸素空孔

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ルチル ,  TiO2 ,  単結晶 ,  酸素空孔 ,  分布 ,  抵抗変化