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J-GLOBAL ID:201802242886341310   整理番号:18A0956421

特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~半導体結晶中特異構造の3次元微細構造解析

Three-dimensional Analysis of Defect-related Singularity Structures in Semiconductor Materials
著者 (7件):
資料名:
巻: 45  号:ページ: ROMBUNNO.45-1-04  発行年: 2018年04月 
JST資料番号: F0452C  ISSN: 2188-7268  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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半導体物質,特に窒化物半導体エピタクシー厚膜とIV族半導体ヘテロエピタクシー膜について特異構造の三次元解析(3D)の最近の研究を報告する。Spring-8のビームラインで行われた2~300nmのプローブサイズを用いるナノビームX線回折(ナノXRD)により格子面微細構造と特異構造が原因のそれらの変調を明らかにできる。3D逆格子空間マッピング(3D-RSM)解析が最近実現され,これを用いることにより,試料の正確に同じ位置において格子傾斜と格子間隔ばかりでなく格子回転(あるいはねじれ)も同時に特性評価できる。さらに積層エピタクシー膜を解析するのに新しくトモグラフィーマッピング法を開発した。この技術により面内ばかりでなく深さ方向の微細構造の変化を観察でき,それにより3D解析をできる。特異構造間の相関,欠陥分布と3D格子形態を明らかにするナノXRD 3DRSMとトモグラフィーマッピングの方法と実験結果を提示する。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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