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J-GLOBAL ID：201902211389733280   整理番号：19A2598440

独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化

著者 (4件)： 谷口達彦 (大阪大 大学院) ,  寺田吏 (大阪大 大学院) ,  石部貴史 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-E214-2  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景・目的】ユビキタス元素Si系熱電材料は、高い熱電出力因子(~45 μWcm-1K-2@室温)を示すものの、熱伝導率が高い(~150 Wm-1K-1)ため、熱電性能が低いという課題がある[1]。これまで我々は、独自の極薄Si酸化膜技術を...【本文一部表示】

シソーラス用語： ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  ナノ構造 ,  *熱伝導率 ,  RHEED ,  *MBE成長 ,  熱電材料 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *SiGe薄膜 ,  Si基板 ,  ナノドット

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  Ge ,  ナノドット ,  SiGe ,  薄膜 ,  熱伝導率