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J-GLOBAL ID:201902212011254359   整理番号:19A2598255

GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co2FeSi薄膜の低温MBE成長

著者 (10件):
資料名:
巻: 80th  ページ: ROMBUNNO.18a-PB3-45  発行年: 2019年09月04日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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次世代の半導体スピントロニクス素子の一つとして,強磁性電極からスピン偏極した電子を注入して円偏光を生成するスピンLEDに期待が集まっている[1].最近,FeCo/MgOトンネルコンタクトをスピン注入源とするGaNスピンLEDにおいて,室温で...【本文一部表示】
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分類 (1件):
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磁性材料 
タイトルに関連する用語 (5件):
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