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J-GLOBAL ID：201902216539786890   整理番号：19A2619288

GaO_xを用いたクロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性

著者 (4件)： 上甲守治 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-F211-10  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 背景 メモリスタは電圧印加によって抵抗値が変化することから、シナプス素子応用に向けた多くの研究がなされている。一般的に素子作製後、弱い絶縁破壊であるフォーミングプロセスが必要であるが、多数の素子が存在する場合は、素子ごとの特性にばらつきが生...【本文一部表示】

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  通信交換 ,  *回路部品 ,  アレイ回路 ,  記憶素子 ,  *変化 ,  電気特性
準シソーラス用語： クロスバ交換 ,  メモリアレイ ,  *メモリスタ ,  *抵抗変化

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 開発 ,  抵抗変化