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J-GLOBAL ID：201902247449020764   整理番号：19A1122435

低消費電力人工シナプス素子開発を目指した酸化物メモリスタ材料の原子・電子構造解析

著者 (5件)： 藤平哲也 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  酒井朗 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  井阪健 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  五十嵐信行 (名古屋大 未来材料・システム研)
資料名： 名古屋大学電子光学研究のあゆみ  (Nagoya University Ayumi(Progress Steps) of the Electron Optics Research)
号： 30  ページ： 100-101  発行年： 2019年05月20日 
JST資料番号： X0925A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 回路部品 ,  記憶素子 ,  消費電力 ,  ルチル型結晶 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  空格子点 ,  四端子回路 ,  電解着色 ,  電気抵抗 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *酸化チタン
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  STEM【顕微鏡】 ,  *シナプス素子 ,  *メモリスタ ,  二酸化チタン ,  酸素空格子点 ,  低消費電力 ,  電気着色

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低消費電力 ,  人工 ,  シナプス素子 ,  開発 ,  酸化物 ,  メモリスタ ,  原子 ,  電子構造 ,  解析