特許
J-GLOBAL ID：201903014285779417

LEDおよびその製造方法

発明者：
千葉 貴之

千葉 貴之 について

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城戸 淳二

城戸 淳二 について

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保志 圭吾

保志 圭吾 について

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林 幸宏

林 幸宏 について

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江部 日南子

江部 日南子 について

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佐藤 純

佐藤 純 について


出願人/特許権者：
国立大学法人山形大学

国立大学法人山形大学 について


代理人 (2件)： 木下 茂 ,  澤田 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-024037
公開番号（公開出願番号）：特開2019-140309
出願日： 2018年02月14日
公開日（公表日）： 2019年08月22日
要約：
【課題】高効率・長寿命なペロブスカイト量子ドットLEDの開発を目的として、アリールアンモニウム塩によりハロゲンアニオン交換したペロブスカイト量子ドットを含むLEDおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に成膜した電極と、一つまたは複数のハロゲンアニオン塩によりハロゲンアニオン交換したペロブスカイト量子ドットからなる発光層とを有するLEDであって、前記ペロブスカイト量子ドットが、アリールアンモニウムハロゲン塩でハロゲンアニオン交換したものを含むことを特徴とするLED。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に成膜した電極と、一つまたは複数のハロゲンアニオン塩によりハロゲンアニオン交換したペロブスカイト量子ドットからなる発光層とを有するLEDであって、 前記ペロブスカイト量子ドットが、アリールアンモニウムハロゲン塩でハロゲンアニオン交換したものを含むことを特徴とするLED。
IPC (4件)：
H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/28 ,  C09K 11/66
FI (4件)：
H05B33/14 B ,  H05B33/10 ,  H05B33/28 ,  C09K11/66
Fターム (15件)：
3K107AA05 ,  3K107CC04 ,  3K107CC21 ,  3K107DD22 ,  3K107DD27 ,  3K107DD54 ,  3K107DD57 ,  3K107DD70 ,  3K107FF14 ,  3K107GG06 ,  4H001XA17 ,  4H001XA35 ,  4H001XA53 ,  4H001XA55 ,  4H001XA82
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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