文献
J-GLOBAL ID:202002212061456517   整理番号:20A2238677

Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング

In-situ monitoring of Na-flux crystal growth by electrical resistance measurement
著者 (6件):
資料名:
巻: 67th  ページ: ROMBUNNO.14p-A302-5  発行年: 2020年02月28日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
本文一部表示:
本文一部表示
文献の本文または文献内に掲載されている抄録の冒頭(最大100文字程度)を表示しています。
非表示の場合はJDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌登載から半年~1年程度経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
【はじめに】Naフラックス法では、高温、高圧、腐食性ガス雰囲気という過酷な成長環境により成長過程の観察が困難であった。しかし、GaNウエハを量産するために育成プロセスの安定化は必須であり、安定性の向上のためには、成長中の溶液状態の変化を観察...【本文一部表示】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 

前のページに戻る