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J-GLOBAL ID：202002248235021057   整理番号：20A0106589

酸化物基板上のCo₂FeSiおよびCo₂MnSi薄膜の成長形態の違い

著者 (6件)： 工藤康平 (大阪大 基礎工) ,  濱崎恭考 (東京工大) ,  山田晋也 (大阪大 基礎工) ,  阿保智 (大阪大 基礎工) ,  合田義弘 (東京工大) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 43rd  ページ： 158  発行年： 2019年09月11日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 高スピン偏極率が期待されているCo系ホイスラー合金は,磁気抵抗素子1,2)や半導体スピン素子3)に利用され,既に高いポテンシャルが示されつつある.一般的に,規則化したCo系ホイスラー合金薄膜を得るためには,アニール処理(>300°C)を施すが...【本文一部表示】

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  合金 ,  ホイスラー合金 ,  *MBE成長 ,  *構造 ,  規則化 ,  結晶構造 ,  スピントロニクス ,  磁性半導体
準シソーラス用語： *MBE ,  スピントロニクス素子 ,  *規則構造 ,  *合金薄膜

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁気的性質  (WB02020J) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物 ,  成長 ,  形態