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J-GLOBAL ID：202002262467773219   整理番号：20A1629721

新型酸化物メモリスタの原子レベル機構解明と多様性シナプス素子の創製

Atomic Scale Mechanism of Novel Oxide-based Memristor and Fabrication of Diversified Synaptic Device

著者 (2件)： 藤平哲也 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  酒井朗 (大阪大)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 34  ページ： 167-173  発行年： 2020年06月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ルチルTiO₂単結晶を用いて4端子メムリスタデバイスを作製した。この考案は2対の電極を用いた酸素空孔分布の正確な制御に基づいて動作し,対角対向電極端子の対を用いて,対角対向電極端子の別の対の間の領域における酸素空孔の分布を改良した。空孔の分布は還元Ti0₂の電気着色により光学的に可視化される。Ti0₂で観察された視覚コントラストはデバイスの電気的活性ゾーンにおける酸素空孔濃度を反映し,これは電極への種々の外部電圧の適用によって修正できる。デバイスが明確な抵抗スイッチング(RS)を示し,可逆メムリスタとして働くことを確認した。デバイス内の流れは,修正酸素空孔分布に著しく依存し,印加電圧の分極が反転すると,得られた抵抗は切り替え可能である。Ti02_2-x基板の結晶学的方位は可逆RS現象に強い影響を及ぼした。デバイスの電気的活性ゾーンにおける結晶と電子構造の両方に対する走査型透過電子顕微鏡(STEM)を用いた顕微鏡解析に基づいて,電圧駆動抵抗変化の背後にある機構を調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *論理素子 ,  *酸化チタン ,  ルチル ,  単結晶 ,  四端子回路 ,  空格子点 ,  可視化 ,  電気化学反応 ,  電圧依存性 ,  性能評価

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (4件)：

• L. O. Chua, IEEE CT-18, 507 (1971).
• D. B. Strukov et al., Nature 453, 80 (2008).
• M. Prezioso et al., Nature 521, 61 (2015).
• R. Waser et al., Adv. Mater. 21, 2632 (2009).

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物 ,  メモリスタ ,  原子 ,  多様性 ,  シナプス素子 ,  創製