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J-GLOBAL ID:202102245665823815   整理番号:21A0696539

4端子平面型TiO2-xメモリスタ素子における酸素空孔分布2次元制御に基づくSTP・LTP特性の実装

Implementation of STP/LTP based on 2D control of oxygen vacancy distribution in 4-terminal planar TiO2-x memristive device
著者 (5件):
資料名:
巻: 81st  ページ: ROMBUNNO.9a-Z28-5  発行年: 2020年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
記憶装置  ,  LCR部品  ,  脳・神経系モデル 

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