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J-GLOBAL ID：202102268764021541   整理番号：21A0697723

Ge基板のヨウ素溶液処理による表面エッチング

Etching of Ge substrate surface by iodine solution treatment

著者 (5件)： 森悠 (大阪大 大学院) ,  濱地威明 (大阪大 大学院) ,  阿保智 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院) ,  金島岳 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11p-Z10-1  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 我々はGe(111)と良好な原子整合性を示すLa2O3に着目し,結晶性La2O3/p-Ge(111)直接接合のMISFETを報告してきた[1].このような直接接合は酸化により形成されたGeO2とは異なり,絶縁膜成長直前のGe表面がMIS界面...【本文一部表示】

シソーラス用語： MIS構造 ,  *エッチング ,  界面 ,  金 ,  *ゲルマニウム ,  *ヨウ素 ,  塩酸 ,  結晶度 ,  抵抗加熱 ,  エッチピット ,  電気特性 ,  絶縁膜 ,  MISFET ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge基板 ,  ヨウ素 ,  溶液処理 ,  エッチング