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J-GLOBAL ID:202202238362859858   整理番号:22A1706907

Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小GaN種結晶上の核発生成進

Enhancing Nucleation on Micro-size GaN point-seed crystals by Utilizing Nitrogen Desorption Properties in the Na-Flux Method
著者 (8件):
資料名:
巻: 69th  ページ: ROMBUNNO.24p-P04-1  発行年: 2022年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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我々はNaフラックス法を用いて複数の微小GaN種結晶(Point seed:PS)をSapphire上に配列したMulti-point seed(MPS)基板上に結合成長させることによって低転位なGaN結晶(転位密度:103~105/cm2...【本文一部表示】
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分類 (1件):
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固体プラズマ 

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