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J-GLOBAL ID：202202288294079526   整理番号：22A1215670

Na-flux法成長速度制御によるGaN結晶再成長界面の新生ネジレ転位の抑制

Suppression of newly generated threading dislocations at the regrowth interface of a GaN crystal by growth rate control in the Na-flux method

著者 (11件)： Yamauchi Hyoga ( Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Tandryo Ricksen ( Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Yamada Takumi ( Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Murakami Kosuke ( Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Usami Shigeyoshi ( Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Imanishi Masayuki ( Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Maruyama Mihoko ( Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Maruyama Mihoko ( Institute for Advanced Co-Creation Studies, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Maruyama Mihoko ( Graduate School of Life and Environmental Sciences, Kyoto Prefectural University, Kyoto, Kyoto 606-8522, Japan) ,  Yoshimura Masashi ( Institute of Laser Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Mori Yusuke ( Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics (Web)  (Japanese Journal of Applied Physics (Web))
巻： 61  号： 5  ページ： 055505 (6pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： G0520C  ISSN： 1347-4065  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 概要:先行研究において,フラックス膜コート法とマルチポイントシード法(FFC-MPST)を用いて,大口径・低転位密度のGaNウエハを得ることに成功した。生産コスト削減策として,成長したGaN結晶の一部を再利用し,Na-flux再成長により厚膜化することを目指している。しかし最近,Na-flux法によるGaN結晶のホモエピタキシャル成長において,成長界面にネジレ転位(TD)が発生することが判明した。本研究では,再成長時の急成長が介在物形成に寄与し,再成長界面でTDsが発生することを発見した。そこで,成長初期に低圧条件を設定し,低成長率を実現することで,TDの発生を抑制することに成功した。これらの知見は,高品質なGaNウェーハの生産性向上やGaNデバイスの普及に貢献するものである。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フラックス法 ,  *ナトリウム ,  *成長速度 ,  *窒化ガリウム ,  結晶成長 ,  界面 ,  ねじり変形 ,  *転位【結晶】 ,  ホモエピタクシー
準シソーラス用語： 再成長 ,  成長界面

著者キーワード (7件)： ホモエピタクシー ,  溶液からの成長 ,  単結晶成長 ,  窒化物 ,  半導体III-V材料 ,  貫通転位 ,  介在物

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長速度 ,  GaN ,  結晶 ,  再成長 ,  界面 ,  転位