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J-GLOBAL ID：200902015546162337   Reference number：87A0434621

Molecular-beam epitaxial growth of (Al, Ga) As/GaAs heterostructures with interruption at interfaces.

界面での成長断続法による(Al,Ga)As/GaAsヘテロ構造の分子ビームエピタキシャル成長

Author (8)： TU C W (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  MILLER R C (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  WILSON B A (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  PETROFF P M (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  HARRIS T D (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  KOPF R F (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  SPUTZ S K (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  LAMONT M G (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 5  Issue： 3  Page： 716-717  Publication year： May. 1987 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： aluminum gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： SQW ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 界面 ,  成長 ,  Al ,  Ga ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  分子ビームエピタキシャル成長