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J-GLOBAL ID：200902212438452337   Reference number：09A0458489

The Influence of Hf-Composition on Atomic Layer Deposition HfSiON Gated Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors after Channel-Hot-Carrier Stress

チャネルのホットキャリアストレスを与えた後の原子層堆積HfSiONゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに及ぼすHf濃度の影響

Author (4)： CHEN Shuang-Yuan (National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN) ,  CHEN Hung-Wen (National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN) ,  LIU Chuan-Hsi (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHENG Li-Wei (United Microelectronics Corp., Hsinchu, TWN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 4,Issue 2  Page： 04C009.1-04C009.4  Publication year： Apr. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： channel ,  hot carrier ,  carrier injection ,  chemical vapor deposition ,  nitride ,  oxide ,  hafnium compound ,  silicon compound ,  dielectric thin film ,  *MOSFET ,  *MOS structure ,  concentration dependence ,  reliability(property) ,  degradation(alteration) ,  carrier capture ,  trapping center ,  surface level ,  excitation(physics)
Semi thesaurus term： ALD ,  interface state ,  charge pumping

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (14)：

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• Howard C.-H. Wang, C. W. Tsai, S. J. Chen, H. J. Lin, Y. Jin, H. J. Tao, S. C. Chen, C. H. Diaz, T. Ong, A. S. Oates, M. S. Liang, and M. H. Chi: Symp. VLSI Technology, 2005, p. 170.

Terms in the title (7)： チャネル ,  原子層堆積 ,  HfSiON ,  ゲート ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  HF