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J-GLOBAL ID：200902238121391188   Reference number：09A0422970

最新報告32/22nm以降の先端リソグラフィ ギガフォトンの露光装置用ArFレーザ光源 TGM技術およびOPS・LNMの改良でCD変動を低減 液浸ダブルパターニングで量産32nmノード対応へ

Author (15)： WAKANA KATSUHIKO (ギガフォトン) ,  TSUSHIMA HIROAKI (ギガフォトン) ,  MATSUMOTO SHIN'ICHI (ギガフォトン) ,  YOSHINO MASAYA (ギガフォトン) ,  KUMASAKI TAKAHITO (ギガフォトン) ,  WATANABE HIDENORI (ギガフォトン) ,  OTA TAKESHI (ギガフォトン) ,  TANAKA SATOSHI (ギガフォトン) ,  SUZUKI TOORU (ギガフォトン) ,  NAKAI HIROAKI (ギガフォトン) ,  KAWASUJI YASUFUMI (ギガフォトン) ,  KUROSU AKIHIKO (ギガフォトン) ,  MATSUNAGA TAKASHI (ギガフォトン) ,  FUJIMOTO JUN'ICHI (ギガフォトン) ,  MIZOGUCHI HAKARU (ギガフォトン)
Material： Semiconductor FPD World  (Semicond FPD World)
Volume： 28  Issue： 6  Page： 48-49  Publication year： Apr. 20, 2009 
JST Material Number： Y0509B  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *VLSI ,  *photolithography ,  pattern formation ,  *light source ,  argon compound ,  fluoride ,  *excimer laser ,  stabilization ,  length ,  circuit pattern generation ,  *multiple exposure ,  throughput ,  focal depth
Semi thesaurus term： argon fluoride ,  ダブルパターニング ,  argon fluoride ,  immersion lithography ,  critical dimension ,  *double exposure

JST classification (3)： Electronic engineering in general  (NC01000A) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (10)： 報告 ,  リソグラフィ ,  露光装置 ,  ARF ,  レーザ光源 ,  Cd ,  液浸 ,  ダブルパターニング ,  量産 ,  32nmノード