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J-GLOBAL ID：201702236399308252   Reference number：17A0002353

Molecular dynamics study on fluorine radical multilayer adsorption during Si, SiO₂ or Si₃N₄ etching processes

Si,SiO₂またはSi₃N₄エッチングプロセス中のフッ素ラジカル多層吸着に関する分子力学研究

Author (4)： NUMAZAWA Satoshi (Samsung R&D Inst. Japan, Yokohama, JPN) ,  MACHIDA Ken (Samsung R&D Inst. Japan, Yokohama, JPN) ,  ISOBE Michiro (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  HAMAGUCHI Satoshi (Osaka Univ., Suita, JPN)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 37th  Page： 31-32  Publication year： 2015 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  silicon dioxide ,  silicon nitride ,  intramolecular dynamics ,  fluorine ,  radical ,  adsorption ,  multilayer film ,  simulation ,  *RIE

JST classification (1)： Applications of plasma  (BJ02110K)

Terms in the title (10)： Si ,  SiO2 ,  Si3N4 ,  エッチングプロセス ,  フッ素 ,  ラジカル ,  多層 ,  吸着 ,  分子力学 ,  研究