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J-GLOBAL ID：201702244184957921   Reference number：17A0002344

Clarification of a SiOF layer formed on SiO₂ under fluorocarbon plasma etching

フッ化炭素プラズマエッチングでSiO₂上に形成されたSiOFの解明

Author (5)： OHYA Y. (Tokyo Electron Miyagi Ltd., Miyagi, JPN) ,  TOMURA M. (Tokyo Electron Miyagi Ltd., Miyagi, JPN) ,  ISHIKAWA K. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  SEKINE M. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HORI M. (Nagoya Univ., Aichi, JPN)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 37th  Page： 9-10  Publication year： 2015 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： aliphatic fluorine compound ,  *plasma etching ,  silicon oxide ,  oxygen fluoride ,  silicon ,  secondary ion mass spectrometry

JST classification (1)： Applications of plasma  (BJ02110K)

Terms in the title (3)： フッ化炭素 ,  プラズマエッチング ,  SiO2