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J-GLOBAL ID：201702247292728239   Reference number：17A0550022

ドライ酸化,窒化,POCl₃処理Si面SiC-MOS界面の電子スピン共鳴分光

Author (7)： KIM Geonwoo (Tsukuba Univ.) ,  OKUDA TAKAFUMI (Kyoto Univ.) ,  SUDA JUN (Kyoto Univ.) ,  KIMOTO TSUNENOBU (Kyoto Univ.) ,  OKAMOTO MITSUO (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol.) ,  HARADA SHINSUKE (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol.) ,  UMEDA TAKAHIDE (Tsukuba Univ.)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16a-P5-13  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： oxidation ,  *silicon carbide ,  *ESR ,  *MOSFET ,  impurity ,  density ,  defect
Semi thesaurus term： interface defect ,  不純物密度

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (9)： 酸化 ,  窒化 ,  POCl3 ,  Si ,  SiC ,  MOS ,  界面 ,  電子スピン共鳴 ,  分光