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J-GLOBAL ID：201702279318699366   Reference number：17A0512505

2nd-Generation Low Loss SJ-MOSFET with Built-In Fast Diode “Super J MOS S2FD Series”

組込高速ダイオードを備えた第2世代低損失SJ-MOSFET ”Super J MOS S2FDシリーズ ”

Author (3)： WATANABE Sota (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  SAKATA Toshiaki (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  YAMASHITA Chiho (Fuji Electric Co., Ltd.)
Material： Fuji Electric Review  (Fuji Electr Rev)
Volume： 62  Issue： 4  Page： 275-279  Publication year： Dec. 30, 2016 
JST Material Number： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *diode ,  *embedded system ,  *power converter ,  *MOSFET ,  *power transistor ,  on resistance ,  voltage ,  switching loss
Semi thesaurus term： surge voltage ,  *power MOSFET ,  *power converter

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Power converters  (NB08030B)

Reference (10)：

• Fujihira, T. “Theory of Semiconductor Superjunction Devices”. Jpn. J. Appl. Phys., 1997, vol.36, p.6254-6262.
• Deboy, G. et al. “A New Generation of High Voltage MOSFETs Breaks the Limit Line of Silicon”. Proc. IEDM, 1998, p.683-685.
• Onishi, Y. et al. “24 m・cm2 680 V Silicon Superjunction MOSFET”. Proc. ISPSD' 02, 2002, p.241-244.
• Saito, W. et al. “A 15.5 m・cm2- 680 V Superjunction MOSFET Reduced On-Resistance by Lateral Pitch Narrowing”. Proc. ISPSD' 06, 2006, p.293-296.
• Oonishi, Y. et al. Superjunction MOSFET. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2010, vol.56, no.2, p.65-68.

Terms in the title (6)： 組込 ,  ダイオード ,  世代 ,  低損失 ,  MOSFET ,  MOS