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J-GLOBAL ID：201702227307740323   Reference number：17A0549656

High-k/SiO₂界面双極子に起因するシリコン表面バンドベンディングのレーザーTHz放射顕微鏡による直接観察

Author (10)： HOTTA YASUSHI (兵県大 工) ,  SAIKI IKUYA (兵県大 工) ,  NISHI SHINTARO (兵県大 工) ,  ITO AKIRA (SCREEN) ,  NAKANISHI HIDETOSHI (SCREEN) ,  YOSHIDA HARUHIKO (兵県大 工) ,  ARAFUNE KOJI (兵県大 工) ,  SATO SHIN'ICHI (兵県大 工) ,  TONOUCHI MASAYOSHI (阪大 レーザー研) ,  KAWAYAMA IWAO (阪大 レーザー研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16a-413-9  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *insulating film ,  *dielectric thin film ,  silicon dioxide ,  dipole ,  *band structure ,  silicon ,  terahertz wave ,  structure ,  capacitance-voltage characteristic
Semi thesaurus term： *band bending ,  *high-k dielectrics ,  superstructure

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (7)： SiO2 ,  界面双極子 ,  起因 ,  シリコン ,  レーザー ,  THz放射 ,  顕微鏡