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J-GLOBAL ID：201702230871579277   Reference number：17A0208662

Realization of High Performance and Very High Density by Introducing Porous Bodies into Conducting-Bridge Random Access Memory (CB-RAM)

ナノ多孔体の導入による超微細高性能メモリの実現

Author (1)： KINOSHITA KENTARO (鳥取大)
Material： ゼオライト  (Zeolite News Letters)
Volume： 34  Issue： 1  Page： 10-18  Publication year： Jan. 31, 2017 
JST Material Number： L1799A  ISSN： 0918-7774  CODEN： ZEOREM  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nanomaterial ,  porous medium ,  *micro structure ,  *memory(computer) ,  electrode material ,  *memory element ,  ionic liquid ,  organometallic compound ,  *pore ,  RAM ,  current-voltage characteristic ,  alkylbenzene ,  water molecule ,  anion ,  aliphatic alcohol
Semi thesaurus term： Xylenes ,  *Nanopores ,  *nanoporous body ,  *memory ,  *memory element ,  high performance ,  *hyperfine structure ,  conducting bridge random access memory

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Colloid chemistry in general  (CB11010C)

Substance index (3)： TFSA ,  Methanol ,  Bmim・NTf2

Reference (12)：

• S. Hasegawa, K. Kinoshita, S. Tsuruta and S. Kishida, ECS Trans., 50, 61 (2013).
• A. Harada, H. Yamaoka, R. Ogata, K. Watanabe, K. Kinoshita, S. Kishida, T. Nokamia and T. Itoh, J. Mat. Chem., C, 3, 6935 (2015).
• A. Harada, H. Yamaoka, R. Ogata, K. Watanabe, K. Kinoshita, S. Kishida, T. Nokamia and T. Itoh, Chem. Lett., 44, 1578 (2015).
• T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, I. Valov, R. Waser and M. Aono, Adv. Funct. Mater., 22, 70 (2012).
• A. Schreiber, I. Ketelsen and G. H. Findenegg, Phys. Chem. Chem. Phys., 3, 1185 (2001).

Terms in the title (3)： 多孔体 ,  超微細 ,  高性能