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J-GLOBAL ID：201702278883309736   Reference number：17A0453858

CCP-CVD法を用いたSiO:CH微粒子の気相中凝集形態における制御因子

Author (6)： AIHARA TAKUMI (千葉工大 工) ,  SHINTANI WATARU (千葉工大 工) ,  KOIKE RYO (千葉工大 院) ,  INOUE YASUSHI (千葉工大 工) ,  INOUE YASUSHI (千葉工大 院) ,  TAKAI OSAMU (関東学院大 材料表面研)
Material： 表面技術協会講演大会講演要旨集
Volume： 135th  Page： 92  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0050A  ISSN： 0917-2947  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon dioxide ,  *organosilicon compound ,  plasma CVD ,  *fine particle ,  aggregation ,  micro structure ,  chemical bond ,  *organic material ,  *organosilica ,  *organic thin film

JST classification (1)： Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Terms in the title (9)： CCP ,  CVD法 ,  SiO ,  CH ,  微粒子 ,  気相 ,  凝集 ,  形態 ,  制御因子