研究者
J-GLOBAL ID:200901000918396231   更新日: 2024年01月30日

金島 岳

カナシマ タケシ | Takeshi Kanashima
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (2件): 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (7件): high-Kゲート ,  放射光による電子材料の作製及びエッチング ,  Si/SiO界面の評価 ,  Si酸化膜 ,  high-K gate. ,  Preparation and Etching of Electrical Materials by Synchro-Radiation ,  characterization of SiO<sub>2</sub> thin fims and Si/SiO<sub>2</sub> interface
競争的資金等の研究課題 (12件):
  • 2018 - 2022 エピタキシャル高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高機能ゲルマニウムトランジスタ
  • 2009 - 2011 磁場印加レーザアブレーションによる強磁性・強誘電性薄膜作製と評価
  • 2008 - 2011 ゲルマニウムベース高移動度トランジスタのための表面修飾と絶縁体/界面改善
  • 2000 - 2003 強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
  • 2000 - 2002 放射光による低温での極薄酸化・窒化膜形成の理論的実験的解明
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論文 (139件):
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MISC (239件):
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特許 (1件):
書籍 (1件):
  • P(VDF-TeFE)/Organic Semiconductor Structure Ferroelectric-GateFETs
    Springer 2016 ISBN:9789402408416
Works (3件):
  • ゲルマニウムベース高移動度トランジスタのための表面修飾と絶縁体/界面改善
    2008 -
  • ナノ薄膜技術を応用したロボットのための集積多軸触覚センサの開発
    2006 -
  • ナノ薄膜技術を応用したロボットのための集積多軸触覚センサの開発
    2005 -
学歴 (3件):
  • 1993 - 1996 大阪大学 大学院基礎工学研究科 物理系専攻電気工学分野 博士後期課程
  • 1991 - 1993 大阪大学 大学院基礎工学研究科 物理系専攻電気工学分野 博士前期課程
  • 1987 - 1991 大阪大学 基礎工学部 電気工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (4件):
  • 2022/04 - 現在 近畿大学 産業理工学部 電気電子工学科 教授
  • 2007/07 - 2022/03 大阪大学 大学院基礎工学研究科 准教授
  • 2007/04 - 2007/06 大阪大学 大学院基礎工学研究科 助教
  • 1996/04 - 2007/03 大阪大学 基礎工学部 助手
受賞 (1件):
  • 2006 - JJAP論文賞
所属学会 (4件):
新無機膜研究会 ,  放射光学会 ,  応用物理学会 ,  shinmukimaku kenkyukai
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