研究キーワード (7件):
high-Kゲート
, 放射光による電子材料の作製及びエッチング
, Si/SiO界面の評価
, Si酸化膜
, high-K gate.
, Preparation and Etching of Electrical Materials by Synchro-Radiation
, characterization of SiO<sub>2</sub> thin fims and Si/SiO<sub>2</sub> interface
競争的資金等の研究課題 (12件):
2018 - 2022 エピタキシャル高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高機能ゲルマニウムトランジスタ
2009 - 2011 磁場印加レーザアブレーションによる強磁性・強誘電性薄膜作製と評価
2008 - 2011 ゲルマニウムベース高移動度トランジスタのための表面修飾と絶縁体/界面改善
2000 - 2003 強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
2000 - 2002 放射光による低温での極薄酸化・窒化膜形成の理論的実験的解明
2000 - 2002 強誘電体/絶縁膜/半導体ゲート構造における強誘電体層、絶縁層界面特性の改善
放射光による電子材料のエッチング
分子軌道法による半導体表面の評価
High-k膜の成長とその評価
Etching of Electrical Materials by SR
Characterization of semiconductor surface by molecular orbital calculation
characterization of high-k thim film
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論文 (139件):
Y. Murakami, T. Usami, R. Watarai, Y. Shiratsuchi, T. Kanashima, R. Nakatani, Y. Gohda, K. Hamaya. Metastable Co3Mn/Fe/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 multiferroic heterostructures. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 22
T. Usami, Y. Sanada, Y. Shiratsuchi, S. Yamada, T. Kanashima, R. Nakatani, K. Hamaya. Converse magnetoelectric coupling coefficient greater than 10^{-6} s/m in perpendicularly magnetized Co/Pd multilayers on Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_{3}-PbTiO_{3}. 2023. 570. 15. 170532-170532
Shumpei Fujii, Takamasa Usami, Yu Shiratsuchi, Adam M. Kerrigan, Amran Mahfudh Yatmeidhy, Shinya Yamada, Takeshi Kanashima, Ryoichi Nakatani, Vlado K. Lazarov, Tamio Oguchi, et al. Giant converse magnetoelectric effect in a multiferroic heterostructure with polycrystalline Co2FeSi. NPG Asia Materials. 2022. 14. 1