研究者
J-GLOBAL ID:200901001489790712
更新日: 2023年12月19日
浅沼 周太郎
アサヌマ シュウタロウ | Shutaro Asanuma
所属機関・部署:
職名:
主任研究員
研究キーワード (3件):
エレクトロニクス
, 薄膜
, 酸化物
競争的資金等の研究課題 (4件):
- 2020 - 2023 HfO2系強誘電体の分極揺らぎの制御による新奇物性の探索
- 2018 - 2023 金属絶縁体転移周辺の異常な物理現象の理解とニューロモルフィック素子開発の協奏
- 2020 - 2022 HfO2強誘電体を用いた機能性トランジスタの開発
- 2013 - 2017 固体ゲート絶縁体を利用した電界効果による強相関酸化物の電子相制御
論文 (29件):
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Makoto Minohara, Yoshihiro Nemoto, Shutaro Asanuma, Izumi Hase, Yoshihiro Aiura. Destabilization of Sn2+ 5s2 Lone-Pair States of SnO through Dimensional Crossover. The Journal of Physical Chemistry Letters. 2023. 14. 26. 5985-5992
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Shutaro Asanuma, Kyoko Sumita, Yusuke Miyaguchi, Kazumasa Horita, Takeshi Masuda, Takehito Jimbo, Noriyuki Miyata. Exploring thermally stable metal-oxide/SiO2 stack for metal oxide semiconductor memory and demonstration of pulse controlled linear response. Applied Physics Express. 2023. 16. 6. 061005-061005
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Shutaro Asanuma. Synthesis of rhombohedral LaCuO3 thin films using the oxidation effect of NaClO solution. Dalton Transactions. 2022. 51. 6. 2531-2537
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Makoto Minohara, Shutaro Asanuma, Hidehiro Asai, Yuka Dobashi, Akane Samizo, Yasuhisa Tezuka, Kenichi Ozawa, Kazuhiko Mase, Izumi Hase, Naoto Kikuchi, et al. Elaboration of near-valence band defect states leading deterioration of ambipolar operation in SnO thin-film transistors. Nano Select. 2021. 3. 6. 1012-1020
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Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Shutaro Asanuma, Yukinori Morita, Akira Toriumi. Accelerated ferroelectric phase transformation in HfO2/ZrO2 nanolaminates. Applied Physics Express. 2021. 14. 5. 051006-051006
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MISC (5件):
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浅沼周太郎, 島久, 山田浩之, 井上公, 赤穗博司, 秋永広幸, 澤彰仁. HfO2ゲート酸化膜を用いた強相関酸化物(Nd,Sm)NiO3の電子相制御. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2013. 60th. ROMBUNNO.28A-F2-4
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安住 康平, 浅沼 周太郎, 上江洲 由晃, 勝藤 拓郎. 22pWF-12 電場誘起抵抗変化を起こす遷移金属酸化物の顕微分光測定(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など). 日本物理学会講演概要集. 2007. 62. 2. 602-602
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濱口 正樹, 青山 賢士, 浅沼 周太郎, 上江洲 由晃, 勝藤 拓郎. 20aYH-8 様々な遷移金属の酸化物薄膜におけるパルス電場誘起抵抗変化((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など)). 日本物理学会講演概要集. 2005. 60. 2. 424-424
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大塚 真寛, 稲葉 淳悟, 勝藤 拓郎, 浅沼 周太郎, 上江洲 由晃. 13aRB-13 ペロブスカイト型 Sr_<1-x-y>La_<x+y>Ti_<1-y>Cr_yO_3 薄膜における磁気抵抗効果(V, Ti 系, 領域 8). 日本物理学会講演概要集. 2004. 59. 2. 451-451
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浅沼 周太郎, 加藤 徳剛, 上江洲 由晃, Menoret C, Kiat J-M, 山下 洋八. 7pSH-10 リラクサー圧電体Pb(Zn1/3Nb2/3)03-9%PbTi03のX線回折法による電場の下での格子変形の精密測定(誘電体,領域10). 日本物理学会講演概要集. 2002. 57. 2. 810-810
特許 (4件):
講演・口頭発表等 (32件):
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NaClO溶液の酸化作用を利用した 酸化物薄膜の酸素欠陥低減に関する研究
(応用物理学会 2023)
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NaClO溶液の酸化作用を利用した菱面体晶LaCuO3薄膜の作製
(応用物理学会 2021)
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Thermally stable ALD dielectric stack for IDM MOS device
(International Conference on Solid State Devices and Materials 2021)
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ALD法で形成したHfO2/TiO2/SiO2構造中の界面ダイポール変調
(応用物理学会 2019)
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Interface dipole modulation in ALD HfO2/SiO2 multi-stack MOS structures
(International Conference on Solid State Devices and Materials 2019)
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学位 (1件):
受賞 (1件):
- 2012/03 - 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞 (Nd,Sm)NiO3電気二重層トランジスタの動作特性
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