ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：福田賢三 , 福田伸一 , 加藤恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-264199
公開番号（公開出願番号）：特開2012-114373
出願日： 2010年11月26日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：

【課題】電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。【解決手段】化学式がCa1-xCexMnO3(但し、xは0≦x<1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として、電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

化学式Ca1-xCexMnO3(但し、xは0≦x<1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として備える、電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 49/00 , H01L 21/336 , H01L 27/10

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L49/00 Z , H01L29/78 622 , H01L29/78 613B , H01L29/78 617T , H01L29/78 626C , H01L27/10 451

Fターム (25件)：

5F083FZ10 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F110AA04 , 5F110AA07 , 5F110BB05 , 5F110BB13 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (6件)

強誘電体FET素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-073857 出願人：三菱化学株式会社
スイッチング素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-284927 出願人：株式会社東芝
ペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法、電子機能素子材料として用いられるペロブスカイト型酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いた電子機能素子及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-283474 出願人：国立大学法人広島大学

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