特許
J-GLOBAL ID：201203012853359474

ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子

発明者：
山田 浩之

山田 浩之 について

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向 平華

向 平華 について

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澤 彰仁

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井上 公

井上 公 について

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佐藤 弘

佐藤 弘 について

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浅沼 周太郎

浅沼 周太郎 について

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赤穗 博司

赤穗 博司 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-264199
公開番号（公開出願番号）：特開2012-114373
出願日： 2010年11月26日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：
【課題】電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。【解決手段】化学式がCa1-xCexMnO3(但し、xは0≦x<1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として、電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
化学式Ca1-xCexMnO3(但し、xは0≦x<1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として備える、電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 49/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/10
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 626C ,  H01L27/10 451
Fターム (25件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110BB05 ,  5F110BB13 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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