研究者
J-GLOBAL ID：200901023670935726
更新日: 2022年09月02日
尾沼 猛儀
オヌマ タケヨシ | Onuma Takeyoshi
所属機関・部署：
独立行政法人科学技術振興機構 ERATO 中村不均一結晶プロジェクト
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職名：
研究員
ホームページURL (1件)：
http://bukko.bk.tsukuba.ac.jp/~optoelec/index.html
研究分野 (4件)：
光工学、光量子科学
, 薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件)：
エピタキシャル成長
, 結晶評価
, 窒化物半導体
, Epitaxial growth
, Crystal characterization
, Nitride semiconductor
競争的資金等の研究課題 (5件)：
2001 - 2006 窒化物半導体の発光ダイナミクスの解明
2001 - ガスソース分子線エピタキシ法を用いた窒化物半導体の成長
2001 - III族窒化物半導体の光学評価
2001 - Growth of nitride semiconductor using gas source molecular beam epitaxy
2001 - Optical characterization of group III-nitride semiconductor.
MISC (35件)：
T Onuma, SF Chichibu, A Uedono, T Sota, P Cantu, TM Katona, JF Keading, S Keller, UK Mishra, S Nakamura, et al. Radiative and nonradiative processes in strain-free AlxGa1-xN films studied by time-resolved photoluminescence and positron annihilation techniques. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2004. 95. 5. 2495-2504
T Onuma, SF Chichibu, A Uedono, T Sota, P Cantu, TM Katona, JF Keading, S Keller, UK Mishra, S Nakamura, et al. Radiative and nonradiative processes in strain-free AlxGa1-xN films studied by time-resolved photoluminescence and positron annihilation techniques. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2004. 95. 5. 2495-2504
M Sugiyama, T Nosaka, T Onuma, K Nakajima, P Ahmet, T Aoyama, T Chikyow, SF Chichibu. Critical roles of decomposition-shielding layer deposited at low temperature governing the structural and photoluminescence properties of cubic GaN epilayers grown on (001)GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2004. 43. 1. 106-110
M Sugiyama, T Nosaka, T Onuma, K Nakajima, P Ahmet, T Aoyama, T Chikyow, SF Chichibu. Critical roles of decomposition-shielding layer deposited at low temperature governing the structural and photoluminescence properties of cubic GaN epilayers grown on (001)GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2004. 43. 1. 106-110
ONUMA T, CHICHIBU S F, UEDONO A, YOO Y-Z, CHIKYOW T, SOTA T, KAWASAKI M, KOINUMA H. Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer. Applied Physics Letters. 2004. 85. 23. 5586-5588
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学歴 (4件)：
- 2001 筑波大学 物理学研究科 物理学
- 2001 筑波大学
- 1997 筑波大学 第一学群 自然学類
- 1997 筑波大学
学位 (1件)：
修士(理学) (筑波大学)
所属学会 (4件)：
日本物理学会
, 応用物理学会
, The physical society of Japan
, The Japan society of applied physics
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