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J-GLOBAL ID：200902221678986400   整理番号：04A0211729

有機金属気相エピタクシーによって(001)GaAs上に成長した立方晶GaNエピ層の構造特性と光ルミネセンス特性を支配する低温で堆積した分解遮蔽層の臨界的役割

Critical Roles of Decomposition-Shielding Layer Deposited at Low Temperature Governing the Structural and Photoluminescence Properties of Cubic GaN Epilayers Grown on (001) GaAs by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (8件)： SUGIYAMA M (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  NOSAKA T (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  ONUMA T (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  NAKAJIMA K (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  AHMET P (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  AOYAMA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  CHIKYOW T (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  CHICHIBU S F (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 1  ページ： 106-110  発行年： 2004年01月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題立方晶GaN(c-GaN)の成長について,GaAs基板上...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (31件)：

• 1) For example, see <I>Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes</I>, ed. S. Nakamura and S. F. Chichibu (Taylor & Francis, London and New York, 2000).
• 2) I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5393.
• 3) S. Chichibu, A. Abare, M. Minsky, S. Keller, S. Fleischer, J. Bowers, E. Hu, U. Mishra, L. Coldren, S. DenBaars and T. Sota: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2006.
• 4) S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4188.
• 5) Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura: Phys. Rev. B 55 (1997) R1938.

タイトルに関連する用語 (14件)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaAs ,  成長 ,  立方晶 ,  GaN ,  エピ層 ,  構造特性 ,  光ルミネセンス ,  低温 ,  堆積 ,  分解 ,  遮蔽層 ,  臨界 ,  役割