研究者
J-GLOBAL ID:200901023714034306   更新日: 2024年02月01日

藤井 克司

フジイ カツシ | Fujii Katsushi
所属機関・部署:
職名: 研究員
研究分野 (5件): エネルギー化学 ,  触媒プロセス、資源化学プロセス ,  無機材料、物性 ,  電気電子材料工学 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (9件): 自然エネルギー利用 ,  エネルギー変換 ,  デバイス ,  物性 ,  半導体 ,  energy conversion ,  device ,  characteristics ,  semiconductor
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • 2018 - 2021 光触媒におけるバンドアラインメントの究明と半導体物理的設計指針の構築
  • 2015 - 2018 分極制御による可視光応答・高耐久性窒化物半導体人工光合成デバイス
  • 2009 - 2011 ケミカル・リフト・オフを活用した縦型超高輝度紫外LEDへの展開
論文 (69件):
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MISC (203件):
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特許 (82件):
書籍 (2件):
  • 発光ダイオード(E. Fred Schubert)
    朝倉書店 2010
  • 半導体研究(37) 西澤潤一編
    工業調査会 1992
講演・口頭発表等 (212件):
  • Polytypismを用いたGaNの結晶成長方向制御
    (2010春、応用物理学会(第57回応用物理関係連合講演会) 2010)
  • GaNの光電気化学特性に結晶成長方法が与える影響
    (2010春、応用物理学会(第57回応用物理関係連合講演会) 2010)
  • 微細化対極を用いた窒化物光触媒による水素生成
    (2010秋、応用物理学会(第71回応用物理学会学術講演会) 2010)
  • Photoelectrochemical Evaluation of Bulk GaN Single Crystal Dependent on Growth Method
    (ISPlasma2010 <2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials> 2010)
  • GaNの光電気化学特性に結晶成長方法が与える影響
    (2010秋、応用物理学会(第71回応用物理学会学術講演会) 2010)
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Works (10件):
  • ケミカルリフトオフ法を用いた縦型構造高出力紫外LEDの開発
    2008 - 2010
  • ケミカルリフトオフ法を用いた縦型構造高出力紫外LEDの開発
    2008 - 2010
  • 窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水分解水素生成
    2009 -
  • 窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水分解水素生成
    2009 -
  • 窒化物を用いた光電気化学反応による水素生成
    2006 - 2007
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学歴 (2件):
  • - 1983 大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科
  • - 1983 大阪大学
学位 (1件):
  • 博士(理学) (大阪大学)
経歴 (12件):
  • 2017 - 現在 理化学研究所 光量子工学研究センター
  • 2016 - 2017 北九州市立大学 環境技術研究所
  • 2015 - 2016 理化学研究所 光量子工学研究領域 研究員
  • 2011 - 2015 東京大学 GS+I総括寄付講座 特任教授
  • 2010 - 2011 - 東北大学大学院環境科学研究科 教授
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所属学会 (8件):
日本顕微鏡学会 ,  Materials Research Society ,  電気化学会 ,  応用物理学会 ,  日本顕微鏡学会 ,  Materials Research Society ,  電気化学会 ,  応用物理学会
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