III族窒化物半導体素子製造用基板およびIII族窒化物半導体自立基板またはIII族窒化物半導体素子の製造方法ならびにIII族窒化物成長用基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：杉村憲司 , 来間清志 , 川原敬祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-222767
公開番号（公開出願番号）：特開2012-077345
出願日： 2010年09月30日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：

【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。【解決手段】成長用下地基板10上に、クロム層20を形成する成膜工程と、該クロム層20を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層30とする窒化工程と、該クロム窒化物層30上に、バッファ層40を介して、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層50をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板90の製造方法であって、前記クロム層20は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が7〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層30は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000°C以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

成長用下地基板上に、クロム層を形成する成膜工程と、該クロム層を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層とする窒化工程と、該クロム窒化物層上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法であって、前記クロム層は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が7〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000°C以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成され、前記ガス雰囲気中のアンモニアガス以外のガス成分は、窒素ガスおよび水素ガスからなるキャリアガスとし、該キャリアガスに占める窒素ガスの含有比率は60〜100体積%の範囲であることを特徴とするIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/34 , C30B 29/38 , H01L 33/32 , C23C 14/14 , C23C 14/58 , C30B 25/18

FI (6件)：

C23C14/34 U , C30B29/38 D , H01L33/00 186 , C23C14/14 D , C23C14/58 Z , C30B25/18

Fターム (36件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE03 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TB05 , 4G077TC12 , 4G077TC17 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA07 , 4K029BC03 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC35 , 4K029EA01 , 4K029EA02 , 4K029EA03 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029GA00 , 4K029JA02 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA61 , 5F141AA40 , 5F141CA40 , 5F141CA61

引用特許：

審査官引用 (3件)

基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-252327 出願人：株式会社東北テクノアーチ, 古河機械金属株式会社, 三菱化学株式会社, DOWAエレクトロニクス株式会社, エピバレー株式会社
構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-272321 出願人：株式会社東北テクノアーチ, 古河機械金属株式会社, 三菱化学株式会社, DOWAエレクトロニクス株式会社, エピバレー株式会社
III族窒化物半導体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-221774 出願人：株式会社東北テクノアーチ, DOWAエレクトロニクス株式会社

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