研究者
J-GLOBAL ID:200901032195456183   更新日: 2024年04月17日

小林 篤

コバヤシ アツシ | Kobayashi Atsushi
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): https://www.rs.tus.ac.jp/akobayashi/
研究分野 (8件): ナノ構造化学 ,  機能物性化学 ,  グリーンサステイナブルケミストリー、環境化学 ,  無機材料、物性 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (12件): 太陽電池 ,  電界効果トランジスタ ,  パルスレーザ堆積法 ,  量子デバイス ,  スパッタリング ,  超伝導体 ,  発光素子 ,  界面 ,  物性評価 ,  結晶成長 ,  酸化物半導体 ,  窒化物半導体
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2023 - 2027 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張
  • 2023 - 2025 泉科学技術振興財団 2023年度研究助成
  • 2024 - 2025 第50回(2023年度)岩谷科学技術研究助成
  • 2023 - 2024 日本産業科学研究所 令和5年度研究助成
  • 2021 - 2024 窒化物半導体・超伝導体融合素子作製のための基盤技術構築
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論文 (113件):
  • Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts. physica status solidi (a). 2024
  • Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Hole Conduction Mechanism in In-Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2024
  • Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering. Applied Physics Express. 2024
  • Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Preparation of degenerate n-type Al<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1-</sub><sub><i>x</i></sub>N (0 < <i>x</i> ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition. Applied Physics Letters. 2023. 122. 23
  • Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Positive impurity size effect in degenerate Sn-doped GaN prepared by pulsed sputtering. Applied Physics Letters. 2023. 122. 8. 082102-082102
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MISC (9件):
特許 (1件):
  • InGaAlN系半導体素子
講演・口頭発表等 (307件):
  • スパッタ法により作製した縮退GaN再成長コンタクトを有するAlN/AlGaN HEMT
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • 窒化物半導体・超伝導体・強誘電体のエピタキシャル融合
    (第4回半導体ナノフォトニクス研究会 2023)
  • Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023)
  • Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023)
  • Electronic States at the Interface of β-Nb<sub>2</sub>N/AlN Superlattices
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023)
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学歴 (4件):
  • 2005 - 2007 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 博士課程
  • 2003 - 2005 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 修士課程
  • 2001 - 2003 東京大学 工学部 応用化学科
  • 1999 - 2001 東京大学 教養学部 理科一類
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (6件):
  • 2023/04 - 現在 東京理科大学 先進工学部 マテリアル創成工学科 准教授
  • 2018/04 - 2023/03 東京大学 生産技術研究所 特任准教授
  • 2011/04 - 2018/03 東京大学 生産技術研究所 特任助教
  • 2008/04 - 2011/03 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2007/10 - 2008/03 財団法人神奈川科学技術アカデミー 研究員
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委員歴 (11件):
  • 2023/04 - 現在 ワイドギャップ半導体学会 企画委員
  • 2019/09 - 現在 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) Steering Committee
  • 2019/07 - 現在 応用物理学会 プログラム編集委員
  • 2018/07 - 現在 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 幹事
  • 2021/11 - 2022/01 IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022 Program Committee
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受賞 (5件):
  • 2016/08 - 日本結晶成長学会 第23回技術賞 非晶質基板上への窒化物半導体LED作製技術の開発
  • 2014/07 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
  • 2010/07 - 第29回 電子材料シンポジウム EMS賞
  • 2009/03 - 第25回(2008年秋季)応用物理学会講演奨励賞
  • 2006/11 - 第36回結晶成長国内会議講演奨励賞
所属学会 (2件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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