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J-GLOBAL ID：201702214650287241   整理番号：17A0873491

スパッタリング法による高品質窒化物半導体の形成とデバイス応用

Growth of high quality nitride semiconductors by sputtering and its application to device fabrication

著者 (4件)： 藤岡洋 (東大 生産技研) ,  上野耕平 (東大 生産技研) ,  小林篤 (東大 生産技研) ,  太田実雄 (東大 生産技研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 86  号： 7  ページ： 576-580  発行年： 2017年07月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： III-V族化合物半導体素子は高い性能を示すことが知られているが,製造コストが高いことから応用分野は限定されている。我々は最近,低コストのスパッタリング法を用いて高品質の窒化物半導体を低温でエピタキシャル成長させる技術を開発した。この手法を用いて成長させた窒化ガリウム(GaN)結晶の物性は従来手法によるものと遜色なく,また,発光ダイオード(LED)や高電子移動度トランジスタ(HEMT)といった素子も作製できることがわかった。さらに,安価な非晶質の基板の上にもグラフェンのバッファ層を介してGaNの結晶成長が可能であり,フルカラーのLEDなどの素子が作製可能であることがわかった。これらの成果は性能の高い無機結晶半導体を用いても有機ELディスプレイのような大面積素子が実現可能であることを示している。(著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *スパッタ蒸着 ,  エピタクシー ,  半導体プロセス ,  *発光ダイオード ,  *HEMT ,  *低温 ,  *バッファ層 ,  低温プロセス ,  *III-V半導体
準シソーラス用語： *III-V族化合物半導体

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (23件)：

• N. Holonyak Jr. and S.F. Bevacqua: Appl. Phys. Lett. 1, 82 (1962).
• I. Hayashi, M.B. Panish, P.W. Foy, and S. Sumski: Appl. Phys. Lett. 17, 109 (1970).
• T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, and K. Nanbu: Jpn. J. Appl. Phys. 19, L225 (1980).
• J.M. Olson, S.R. Kurtz, A.E. Kibbler, and P. Faine: Appl. Phys. Lett. 56, 623 (1990).
• I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5393 (1997).

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタリング法 ,  高品質 ,  窒化物半導体 ,  応用