研究者
J-GLOBAL ID：200901046491527135   更新日: 2022年07月05日

掛本 博文

カケモト ヒロフミ | Kakemoto Hirofumi
研究分野 (1件)： 半導体、光物性、原子物理
MISC (200件)：
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書籍 (2件)：
  • beta-FeSi2の新しい物性と応用
    固体物理固体物理 2001
  • レーザアブレーション法によるbeta-FeSi2薄膜の作製と評価
    レーザー研究レーザー研究 2000
Works (23件)：
  • Ferroelectric properties of BaTi0.91(Hf0.5,Zr0.5)0.09O3 thin film, H.Kakemoto, K.Kakimoto, A.Baba, S.Fujita and Y.Masuda; 12th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics 2000 (Hawaii).
    2000 -
  • Ferroelectric properties of BaTi0.91(Hf0.5,Zr0.5)0.09O3 film synthesized by pulsed laser deposition method, Y.Masuda, H.Kakemoto and S.Fujita; 6th International workshop on oxide electronics (Maryland).
    2000 -
  • PLD法により作製したBaTi0.91(Hf0.5,Zr0.5)0.0.9O3薄膜の作製と誘電特性, 掛本博文, 柿本健一, 藤田成隆, 増田陽一郎;平成12年度日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会(長岡技術科学大学), p.100.
    2000 -
  • BaTi0.91(Hf0.5,Zr0.5)0.0.9O3薄膜の作製と誘電特性(2), 掛本博文, 柿本健一, 藤田成隆, 増田陽一郎;平成12年度秋季 第61回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学), 第2分冊, p.423.
    2000 -
  • Ti-siteを置換したBaTiO3膜の成膜とその強誘電特性, 掛本博文, 柿本健一, 藤田成隆, 増田陽一郎; 第17回強誘電体応用会議(FMA-17), 2000年 (コープイン京都), pp.127-128.
    2000 -
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学歴 (4件)：
  • - 1999 東京理科大学 理学研究科 物理学専攻
  • - 1999 東京理科大学
  • - 1994 東京理科大学 理学部 応用物理学科
  • - 1994 東京理科大学
学位 (2件)：
  • 博士 (理学) (東京理科大学 大学院 理学研究科)
  • 理学修士
経歴 (3件)：
  • 1999 - 2001 日本学術振興会未来開拓学術研究推進事業 研究協力者
  • 2001 - - 東京工業大学 大学院理工学研究科材料工学専攻 助手
  • 東京工業大学 大学院理工学研究科 材料工学専攻 大学院理工学研究科 材料工学専攻 助教
委員歴 (1件)：
  • 日本セラミックス協会 研究会運営委員(マイクロ波・ミリ波誘電体..)
受賞 (3件)：
  • 2006 - 第26回エレクトロセラミックス研究討論会・研究奨励賞
  • 2004 - 日本セラミックス協会、特定シンポジュウム、ポスター奨励賞
  • 2003 - 第14回(2003年春季)応用物理学会「講演奨励賞」
所属学会 (3件)：
日本セラミックス協会 ,  応用物理学会 ,  日本物理学会
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