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J-GLOBAL ID：200902023354405670   整理番号：91A0470164

低エネルギーNa⁺イオン散乱分光で調べたSi(111)表面上のGaとAgの吸着における初期段階

Initial stages in the adsorption of Ga and Ag on a Si(111) surface studied by low-energy Na⁺-ion scattering spectroscopy.

著者 (3件)： SHOJI F (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUMITOMO K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OURA K (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Technology Reports of the Osaka University  (Technology Reports of the Osaka University)
巻： 41  号： 2030/2052  ページ： 119-124  発行年： 1991年04月 
JST資料番号： G0635A  ISSN： 0030-6177  CODEN： TROUA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温に保った清浄Si(111)上におけるGa吸着の初期段階を...

シソーラス用語： 表面再構成 ,...

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分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低エネルギー ,  イオン散乱分光 ,  Si ,  Ga ,  Ag ,  吸着 ,  初期段階