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J-GLOBAL ID：200902060662401794   整理番号：91A0572179

(111)Aパターン基板上のGaAs(Si)のMBE成長 CLによる評価

MBE growth of GaAs (Si) on patterned (111)A substrates. Characterization by CL method.

著者 (8件)： 藤井元忠 (ATR光電波通信研) ,  武部敏彦 (ATR光電波通信研) ,  繁田光浩 (ATR光電波通信研) ,  山本悌二 (ATR光電波通信研) ,  小林規矩男 (ATR光電波通信研) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工) ,  藤本勲 (NHK 放送技研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 38th  号： Pt 1  ページ： 215  発行年： 1991年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  Si ,  MBE成長 ,  Cl ,  評価