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J-GLOBAL ID：200902104866827550   整理番号：94A0466836

微細[001]リッジをもつGaAs(100)基板上へのInGaAs/GaAs MBE成長

MBE growth of InGaAs/GaAs on GaAs(100) substrates with 001 ridges.

著者 (9件)： 西本喜則 (大阪大 基礎工) ,  山本法博 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  邑瀬和生 (大阪大 理) ,  蒲生健次 (大阪大 極限物質研セ) ,  安立明 (日新電機) ,  佐野直克 (関西学院大 理) ,  渡辺敏英 (ATR光電波通信研) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 41st  号： Pt 1  ページ： 287  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微細 ,  リッジ ,  GaAs ,  InGaAs ,  MBE成長