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J-GLOBAL ID：200902141970457180   整理番号：93A0610167

表面制御エピタキシーによる急峻なSi/Si_1-xGe_x界面の作製と量子井戸発光

Photoluminescence from Si/Si_1-xGe_x quantum wells fabricated by segregant assisted growth.

著者 (3件)： 宇佐美徳隆 (東大 先端科学技研セ) ,  深津晋 (東大 先端科学技研セ) ,  白木靖寛 (東大 先端科学技研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 229  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシー ,  Si ,  界面 ,  作製 ,  量子井戸