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J-GLOBAL ID：200902149340702633   整理番号：00A0274709

InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性

Fabrication of InGaAs Quantum Dots by SPEED Method and Its Photoluminescence Properties.

著者 (9件)： 間野高明 (金材技研) ,  渡辺克之 (東京理大) ,  塚本史郎 (金材技研) ,  今中康貴 (金材技研) ,  高増正 (金材技研) ,  藤岡洋 (東大 大学院) ,  木戸義勇 (金材技研) ,  尾嶋正治 (東大 大学院) ,  小口信行 (金材技研)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 21  号： 2  ページ： 107-113  発行年： 2000年02月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 一様なInGaAs量子ドットをSeparated-Phase...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (23件)：

• 1) Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
• 2) D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaas and P.M. Petroff: Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).
• 3) V. Bressler-Hill, S. Varma, A. Lorke, B.Z. Nosho, P.M. Petroff and W.H. Weinberg: Phys. Rev. Lett. 74, 3209 (1995).
• 4) K. Nishi, T. Anan, A. Gomyo, S. Kohmoto and S. Sugou: Appl. Phys. Lett. 70, 3579 (1997).
• 5) R. Notzel, J. Temmyo and T. Tamamura: Nature 12, 131 (1994).

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaAs ,  量子ドット ,  作製 ,  光学特性