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J-GLOBAL ID：200902157169492636   整理番号：95A0569912

MBE成長による微細[001]リッジをもつGaAs(100)基板上へのL字型GaAs/AlAs量子細線の作製

Fabrication of nanometer size L-shaped GaAs/AlAs quantum wires on 001 ridges of GaAs(100) patterend substrates by MBE.

著者 (9件)： 上久保徳貴 (大阪大) ,  西本喜則 (大阪大) ,  藤原崇 (大阪大) ,  LIU Y (大阪大) ,  下村哲 (大阪大) ,  邑瀬和生 (大阪大) ,  安立明 (日新電機) ,  佐野直克 (関西学院大 理) ,  渡辺敏英 (ATR光電波通信研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd  号： Pt 1  ページ： 209  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： MBE成長 ,  微細 ,  リッジ ,  GaAs ,  L字型 ,  AlAs ,  量子細線 ,  作製