(411)A GaAs基板上にMBE成長したIn0.18Ga0.82As/Al0.3Ga0.7As自己形成量子ドット構造

文献

J-GLOBAL ID：200902157673184667 整理番号：99A0169659

(411)A GaAs基板上にMBE成長したIn_0.18Ga_0.82As/Al_0.3Ga_0.7As自己形成量子ドット構造

Self organized In_0.18Ga_0.82As/Al_0.3Ga_0.7As quantum dots on (411)A GaAs substrate by MBE.

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0169659&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 59th 号： 3 ページ： 1252 発行年： 1998年09月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

, , ,

前のページに戻る