(411)A GaAs基板上にMBE成長したInGaAs/AlGaAs歪量子井戸 (2)

文献

J-GLOBAL ID：200902161997496383 整理番号：95A1007973

MBE Growth of Strained InGaAs/AlGaAs Quantum Wells on (411)A GaAs Substrates. (2).

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A1007973&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 56th 号： 1 ページ： 191 発行年： 1995年08月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

, , , , ,

前のページに戻る