(775)B GaAs基板上にMBE成長したGaAs/Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As量子井戸のホトルミネッセンス(PL)特性

文献

J-GLOBAL ID：200902162731607496 整理番号：95A1007978

(775)B GaAs基板上にMBE成長したGaAs/Al_0.3Ga_0.7As量子井戸のホトルミネッセンス(PL)特性

Photoluminescence from GaAs/Al0.3Ga0.7As QWs on (775)B GaAs substrate grown by MBE.

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資料名：
巻： 56th 号： 1 ページ： 193 発行年： 1995年08月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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