文献
J-GLOBAL ID:200902197510181735
整理番号:94A0879030
逆メサエッチ基板上のGaAs/Al0.3Ga0.7As多層構造の斜入射によるMBE成長 (5)
Glancing angle MBE growth of GaAs/Al0.3Ga0.7As multi-layer on reverse mesa substrate. (5).
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