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J-GLOBAL ID：200902200389319792   整理番号：09A0995011

(775)B InP基板上に作製したIn_0.67Ga_0.33As量子細線の作製と成長モード

著者 (4件)： 谷勇気 (愛媛大 大学院) ,  毛利如良 (愛媛大 大学院) ,  松木豊和 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 318  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  基板 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子細線 ,  *MBE成長 ,  標識 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  表面テラス ,  *ファセット ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  自己組織系 ,  面発光レーザ ,  結晶成長速度 ,  ヒ化インジウムアルミニウム ,  表面波形
準シソーラス用語： InAlAs ,  表面コラゲーション

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  作製 ,  量子細線 ,  成長モード