文献

J-GLOBAL ID：200902208506071196   整理番号：09A0810303

(775)B InP基板上に作製したIn_0.65Ga_0.35As量子細線のTEM観察による成長機構の研究

著者 (5件)： 毛利如良 (愛大 院) ,  今津晋二郎 (愛大 院) ,  松木豊和 (愛大 院) ,  笹畑圭史 (大阪大 大学院) ,  下村哲 (愛大 院)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2008  ページ： 120  発行年： 2008年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電子顕微鏡観察 ,  *量子細線 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  基板 ,  リン化インジウム ,  *MBE成長 ,  表面テラス ,  ファセット ,  *表面構造 ,  *表面波形 ,  *構造
準シソーラス用語： *表面コラゲーション

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  作製 ,  量子細線 ,  TEM観察 ,  成長 ,  研究