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J-GLOBAL ID：200902212391528585   整理番号：05A0098828

サブ65nmノード世代用の小形コンタクトホールプロセスの解析的研究

Analytical study on small contact hole process for sub-65nm node generation

著者 (6件)： KIM H-W (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  YOON J-Y (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  HAH J-H (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  WOO S-G (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  CHO H-K (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  MOON J-T (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 22  号： 6  ページ： L38-L43  発行年： 2004年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ArFリソグラフィーを用いてArFパターン収縮技術を評価した...

シソーラス用語： *コンタクトホール ,...
準シソーラス用語： *縮率 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  ノード ,  世代 ,  小形 ,  コンタクトホール ,  プロセス ,  解析 ,  研究