文献

J-GLOBAL ID：200902214914403660   整理番号：05A0493260

SiC粉末表面の酸化状態と浸漬熱 -分子軌道法による解析-

著者 (6件)： 内田希 (長岡技科大) ,  田中諭 (長岡技科大) ,  植松敬三 (長岡技科大) ,  井上啓一 (セイコーエプソン) ,  篠原祐治 (セイコーエプソン) ,  上原正光 (セイコーエプソン)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集
巻： 2005  ページ： 159  発行年： 2005年03月22日 
JST資料番号： X0505A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： *ヒドロキシル基

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0493260&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=X0505A") }}

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC粉末 ,  酸化状態 ,  浸漬熱 ,  分子軌道法 ,  解析