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J-GLOBAL ID：200902235391736862   整理番号：05A0079313

極薄ゲートSiO₂膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化

Hot Carrier Degradation in Low Temperature Poly-Si CMOS TFT with Ultra-Thin gate SiO₂ film

著者 (8件)： 宮下誠 (奈良先端科学技術大学院大) ,  菅原祐太 (奈良先端科学技術大学院大) ,  北島浩司 (奈良先端科学技術大学院大) ,  畑山智亮 (奈良先端科学技術大学院大) ,  矢野裕司 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大) ,  冬木隆 (奈良先端科学技術大学院大) ,  芹川正 (東大 先端科学技術研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 510(SDM2004 192-208)  ページ： 59-64  発行年： 2004年12月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 低温ポリシリコン薄膜トランジスタは,次世代ディスプレイを実現...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• FURUTA, M. Euro Display'96. 1996, 547
• HIGASHI, S. AMLCD'00. 2000, 257
• HAI, P. N. AMLCD'04. 2004, 197
• SUYAMA, S. Mat. Res. Soc. Symp. 1989, 146, 301
• 三島康由. FLAT-PANL DISPLAY. 1998, 218

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  SiO2 ,  Si ,  CMOSトランジスタ ,  ホットキャリア