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J-GLOBAL ID：200902241917647231   整理番号：08A1196342

有機薄膜トランジスタ向け塗布型ゲート絶縁膜材料の開発とトランジスタ特性の評価

Development of Silsesquioxane-type Gate Insulating Films and Properties of Its-based Organic Thin Film Transistors

著者 (9件)： 村上修一 (大阪府産業技総研) ,  濱田崇 (科学技術振興機構) ,  戸松賢治 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  上田祐輔 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  山崎沙織 (シチズンホールディングス) ,  永瀬隆 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  小林隆史 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  松川公洋 (大阪市工研) ,  内藤裕義 (大阪府大 大学院工学研究科)
資料名： 大阪府立産業技術総合研究所報告
号： 22  ページ： 79-84  発行年： 2008年09月30日 
JST資料番号： F0173B  ISSN： 1343-3555  CODEN： KEHOFI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機材料から構成される薄膜トランジスタ(有機TFT)は,有機材料の特徴である軽量,柔軟性,耐衝撃性といった形状フレキシビリティを有するとともに,印刷技術を応用して電子回路の大面積化,プロセスの低コスト化を可能とする。したがって,フレキシブルディスプレイ,電子ペーパー等の表示デバイス分野,情報タグ,携帯電子機器などへの応用が期待され,近年研究開発が活発に行われている。本研究では,有機TFT向けゲート絶縁膜としてポリシルセスキオキサンに着目し,ゾルゲル法により合成を行った。また,シアノエチル基を導入することにより,高誘電率化を検討した。さらに,合成したポリシルセスキオキサンを使って有機TFTを作製し,そのトランジスタ特性の評価結果により,ゲート絶縁膜としての性能,有機半導体/ゲート絶縁膜界面の影響などについて知見を得たので報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  ポリシルセスキオキサン ,  ゾル-ゲル法 ,  誘電材料 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 高誘電率材料 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• T. Tsumura, H. Koezuka and T. Ando: App. Phys. Lett., 49, 18(1986)p. 1210.
• 下田達也, 川瀬健夫: 応用物理, 70(2001)p. 1452.
• C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant: Adv. Mater., 14, 2(2002)p. 99.
• L. L. Chua, J. Zaumseil, J. F. Chang, E. C. W. Ou, P. K.. H. Ho, H. Sirringhaus and R. H. Friend: Nature, 434(2005)p. 194.
• C. D. Sheraw, D. J. Gundlach and T. N. Jockson: Mater. Soc. Symp. Proc., 558(2000)p. 403.

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機薄膜トランジスタ ,  ゲート絶縁膜 ,  開発 ,  トランジスタ ,  評価